창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C3V6,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-11842-2-ND 933117680113 BZX79-C3V6 T/R BZX79-C3V6 T/R-ND BZX79-C3V6,113-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-C3V6,113 | |
| 관련 링크 | BZX79-C3, BZX79-C3V6,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | P6SMB480A-M3/5B | TVS DIODE 408VWM 658VC DO-214AA | P6SMB480A-M3/5B.pdf | |
![]() | RC1005F1023CS | RES SMD 102K OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F1023CS.pdf | |
![]() | RNF14DTD52K3 | RES 52.3K OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTD52K3.pdf | |
![]() | CMF554M7000FKEB70 | RES 4.7M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF554M7000FKEB70.pdf | |
![]() | ILSB-08050.22UH | ILSB-08050.22UH VISHAY 0805-R22 | ILSB-08050.22UH.pdf | |
![]() | MK5812GLFTR | MK5812GLFTR ON CDIP-8 | MK5812GLFTR.pdf | |
![]() | CP82C37AB6005 | CP82C37AB6005 HARRIS SMD or Through Hole | CP82C37AB6005.pdf | |
![]() | C1318-GR | C1318-GR TOS TO-92 | C1318-GR.pdf | |
![]() | TC1274-10ENBTR | TC1274-10ENBTR MICROCHIP SOT-23-3 | TC1274-10ENBTR.pdf | |
![]() | HN62331FC53 | HN62331FC53 HIT SOP28 7.2 | HN62331FC53.pdf | |
![]() | R1161N331B-TR | R1161N331B-TR RICOH SMD or Through Hole | R1161N331B-TR.pdf | |
![]() | CL31C105KAHNNN | CL31C105KAHNNN SAMSUNG SMD | CL31C105KAHNNN.pdf |