창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C3V3,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-8059-2 933117670113 BZX79-C3V3 T/R BZX79-C3V3 T/R-ND BZX79-C3V3,113-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C3V3,113 | |
관련 링크 | BZX79-C3, BZX79-C3V3,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | CGA6M3X7R2E224K200AE | 0.22µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M3X7R2E224K200AE.pdf | |
![]() | 403I35D13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35D13M00000.pdf | |
![]() | CMF551M5000GKEA | RES 1.5M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF551M5000GKEA.pdf | |
![]() | 2SC558100L | 2SC558100L panasonic 0603-3 | 2SC558100L.pdf | |
![]() | LP2S2WHTBLU-N | LP2S2WHTBLU-N ESW SMD or Through Hole | LP2S2WHTBLU-N.pdf | |
![]() | GS6680 | GS6680 Gem-micr SOP-8 | GS6680.pdf | |
![]() | MX636JD | MX636JD MAXIM SMD or Through Hole | MX636JD.pdf | |
![]() | MMB2505 | MMB2505 DC SMD or Through Hole | MMB2505.pdf | |
![]() | IL-G-8P-S3T2-E | IL-G-8P-S3T2-E ORIGINAL SMD or Through Hole | IL-G-8P-S3T2-E.pdf | |
![]() | SCN6868C1N40 | SCN6868C1N40 PHI DIP-40 | SCN6868C1N40.pdf | |
![]() | CXE15-48S3V31 | CXE15-48S3V31 ARTESYN MODEL | CXE15-48S3V31.pdf | |
![]() | FST6390 | FST6390 MCC D61-8 | FST6390.pdf |