창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C2V7,133 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-7949-3 933298820133 BZX79-C2V7 AMO BZX79-C2V7 AMO-ND BZX79-C2V7,133-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-C2V7,133 | |
| 관련 링크 | BZX79-C2, BZX79-C2V7,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | YC324-FK-07274RL | RES ARRAY 4 RES 274 OHM 2012 | YC324-FK-07274RL.pdf | |
![]() | MM74HC139J | MM74HC139J NS DIP | MM74HC139J.pdf | |
![]() | KM616V1000BLTI-7L | KM616V1000BLTI-7L SAMSUNG SMD or Through Hole | KM616V1000BLTI-7L.pdf | |
![]() | CF43207PZ | CF43207PZ TEXAS SMD or Through Hole | CF43207PZ.pdf | |
![]() | LGM779 | LGM779 ORIGINAL 1206 | LGM779.pdf | |
![]() | BTS21401P | BTS21401P INF SMD or Through Hole | BTS21401P.pdf | |
![]() | CD4508BFA3 | CD4508BFA3 INTRSIL/HARRIS CDIP | CD4508BFA3.pdf | |
![]() | 380L123M080A072 | 380L123M080A072 CDM DIP | 380L123M080A072.pdf | |
![]() | LS7317-S | LS7317-S LSI SOP14 | LS7317-S.pdf | |
![]() | MF10BN/CN | MF10BN/CN MAXIM DIP-20 | MF10BN/CN.pdf | |
![]() | 54LS74AM/B2AJC | 54LS74AM/B2AJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54LS74AM/B2AJC.pdf | |
![]() | IRC6226 | IRC6226 ON SMD or Through Hole | IRC6226.pdf |