창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C24,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 16.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 933117880113 BZX79-C24 T/R BZX79-C24 T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-C24,113 | |
| 관련 링크 | BZX79-C, BZX79-C24,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MLG1005S12NHTD25 | 12nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 400 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S12NHTD25.pdf | |
![]() | CRCW0603464KFKEA | RES SMD 464K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603464KFKEA.pdf | |
![]() | AC0201JR-0756RL | RES SMD 56 OHM 5% 1/20W 0201 | AC0201JR-0756RL.pdf | |
![]() | PF2203-0R24F1 | RES 0.24 OHM 35W 1% TO220 | PF2203-0R24F1.pdf | |
![]() | R5101BZ | R5101BZ TI BGA | R5101BZ.pdf | |
![]() | FPI0302F-1R0M | FPI0302F-1R0M TAI-TECH SMD | FPI0302F-1R0M.pdf | |
![]() | CM3014-29ST | CM3014-29ST CALMICRO SOT23-5 | CM3014-29ST.pdf | |
![]() | TC58LM806CFT-55 | TC58LM806CFT-55 TOSHIBA TSOP86 | TC58LM806CFT-55.pdf | |
![]() | BAS70-06E-6327 | BAS70-06E-6327 SIEMENS SMD or Through Hole | BAS70-06E-6327.pdf | |
![]() | SIA417DJ-T1-E3 | SIA417DJ-T1-E3 ORIGINAL SMD or Through Hole | SIA417DJ-T1-E3.pdf | |
![]() | DSP50DB0 | DSP50DB0 ORIGINAL DIP32 | DSP50DB0.pdf | |
![]() | 6168798ESD | 6168798ESD GCELECTRONICS SOP8 | 6168798ESD.pdf |