창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B4V7,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-11853-2-ND 933166800113 BZX79-B4V7 T/R BZX79-B4V7 T/R-ND BZX79-B4V7,113-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-B4V7,113 | |
관련 링크 | BZX79-B4, BZX79-B4V7,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | SQCBEA751FAJWE | 750pF 150V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCBEA751FAJWE.pdf | |
![]() | PTN1206E1580BST1 | RES SMD 158 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1580BST1.pdf | |
![]() | ISL6128IR | ISL6128IR INTERSIL SOP | ISL6128IR.pdf | |
![]() | MC68824FN16H3B10M | MC68824FN16H3B10M MOT PLCC | MC68824FN16H3B10M.pdf | |
![]() | 2SB886 | 2SB886 Sanyosemi TO-220 | 2SB886.pdf | |
![]() | EJH-105-01-F-D-SM-P | EJH-105-01-F-D-SM-P SAMTEC ORIGINAL | EJH-105-01-F-D-SM-P.pdf | |
![]() | RLD16P1400GF | RLD16P1400GF ORIGINAL DIP | RLD16P1400GF.pdf | |
![]() | 41RIF160W15 | 41RIF160W15 IR SMD or Through Hole | 41RIF160W15.pdf | |
![]() | G3168-05000202-00 | G3168-05000202-00 ORIGINAL SMD or Through Hole | G3168-05000202-00.pdf | |
![]() | NF-GO6600-A4 | NF-GO6600-A4 ORIGINAL BGA | NF-GO6600-A4.pdf | |
![]() | EAVH350ELL330MF11S | EAVH350ELL330MF11S NIPPON DIP | EAVH350ELL330MF11S.pdf | |
![]() | NTR4003NT1G TEL:82766440 | NTR4003NT1G TEL:82766440 ON SMD or Through Hole | NTR4003NT1G TEL:82766440.pdf |