창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B4V3,133 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 933549970133 BZX79-B4V3 AMO BZX79-B4V3 AMO-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-B4V3,133 | |
관련 링크 | BZX79-B4, BZX79-B4V3,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
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![]() | Y0011250K000B9L | RES 250K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0011250K000B9L.pdf | |
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![]() | GAL16V8-20HB1 | GAL16V8-20HB1 LATTICE DIP | GAL16V8-20HB1.pdf | |
![]() | N79E352ADG. | N79E352ADG. nuvoTon DIP-40 | N79E352ADG..pdf | |
![]() | P-80C51TAM | P-80C51TAM ORIGINAL DIP-42L | P-80C51TAM.pdf | |
![]() | DPA426W6 | DPA426W6 POWER SOT263-6 | DPA426W6.pdf | |
![]() | BZG05C3V9-TR | BZG05C3V9-TR VISHAY DO-214AC | BZG05C3V9-TR.pdf | |
![]() | MD8080A1B | MD8080A1B INTEL DIP | MD8080A1B.pdf |