창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B36,133 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 25.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 933167000133 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-B36,133 | |
관련 링크 | BZX79-B, BZX79-B36,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | CBR06C470G1GAC | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C470G1GAC.pdf | |
![]() | SR215A272JAR | 2700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215A272JAR.pdf | |
![]() | CPPC4LT-A7BP-65.0TS | 65MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Through Hole 3.3V 25mA Enable/Disable | CPPC4LT-A7BP-65.0TS.pdf | |
![]() | RT0805DRE076K8L | RES SMD 6.8K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE076K8L.pdf | |
![]() | RG3216P-6042-D-T5 | RES SMD 60.4K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-6042-D-T5.pdf | |
![]() | B11601 | B11601 ORIGINAL CDIP8 | B11601.pdf | |
![]() | RAV16-4D-1K5%R | RAV16-4D-1K5%R ORIGINAL SMD or Through Hole | RAV16-4D-1K5%R.pdf | |
![]() | VJ0805H223KXAAT | VJ0805H223KXAAT ORIGINAL SMD or Through Hole | VJ0805H223KXAAT.pdf | |
![]() | LH2110D-MTL | LH2110D-MTL MURATA NULL | LH2110D-MTL.pdf | |
![]() | C2012COG470JT000N | C2012COG470JT000N TDK SMD or Through Hole | C2012COG470JT000N.pdf | |
![]() | MCM3109FB | MCM3109FB MOT QFP | MCM3109FB.pdf | |
![]() | PC8374CKOICG/VLA | PC8374CKOICG/VLA NI QFP128 | PC8374CKOICG/VLA.pdf |