창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B36,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 933167000113 BZX79-B36 T/R BZX79-B36 T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-B36,113 | |
| 관련 링크 | BZX79-B, BZX79-B36,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-S03J302V | RES SMD 3K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J302V.pdf | |
![]() | RT1206WRB07174RL | RES SMD 174 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB07174RL.pdf | |
![]() | MT6601T0920-BNSL | MT6601T0920-BNSL MTK SMD | MT6601T0920-BNSL.pdf | |
![]() | ILC7701IPWR | ILC7701IPWR ORIGINAL TSSOP8 | ILC7701IPWR.pdf | |
![]() | TCD5210D | TCD5210D TOSHIBA DIP20 | TCD5210D.pdf | |
![]() | LM113H (NS) | LM113H (NS) NS CAN2 | LM113H (NS).pdf | |
![]() | SD05T | SD05T ON SOD323 | SD05T.pdf | |
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![]() | ST72F324BJ4T6TR | ST72F324BJ4T6TR STM SMD or Through Hole | ST72F324BJ4T6TR.pdf | |
![]() | XTSB43AB22PDT | XTSB43AB22PDT TI TQFP-128 | XTSB43AB22PDT.pdf | |
![]() | RB50/647R | RB50/647R ATE-WIDERSTNDE SMD or Through Hole | RB50/647R.pdf | |
![]() | BZV85C24,133 | BZV85C24,133 NXP SMD or Through Hole | BZV85C24,133.pdf |