창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B30,133 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 21V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 933166980133 BZX79-B30 AMO BZX79-B30 AMO-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-B30,133 | |
관련 링크 | BZX79-B, BZX79-B30,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | FESB8DT-E3/45 | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | FESB8DT-E3/45.pdf | |
![]() | BZM55C62-TR | DIODE ZENER 500MW MICROMELF | BZM55C62-TR.pdf | |
![]() | RT0805CRD07422RL | RES SMD 422 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07422RL.pdf | |
![]() | C2012C-68NY | C2012C-68NY S 0805-68NY | C2012C-68NY.pdf | |
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![]() | OM5N95 | OM5N95 IR TO-254 | OM5N95.pdf | |
![]() | MC68EM36025C | MC68EM36025C MOT CQFP360 | MC68EM36025C.pdf | |
![]() | EPF6024PQ240 | EPF6024PQ240 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPF6024PQ240.pdf | |
![]() | FZ1200R25KL4 | FZ1200R25KL4 EUPEC SMD or Through Hole | FZ1200R25KL4.pdf | |
![]() | MAX488CP | MAX488CP MAX DIP | MAX488CP.pdf | |
![]() | MX580LH | MX580LH MAX SMD or Through Hole | MX580LH.pdf |