창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B16,143 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 11.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 933166920143 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-B16,143 | |
관련 링크 | BZX79-B, BZX79-B16,143 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | MMBZ5229B-G3-08 | DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3 | MMBZ5229B-G3-08.pdf | |
![]() | Y14870R13000D0R | RES SMD 0.13 OHM 0.5% 1W 2512 | Y14870R13000D0R.pdf | |
![]() | 1808SA330KAT2A | 1808SA330KAT2A AVX SMD or Through Hole | 1808SA330KAT2A.pdf | |
![]() | SMBT3906S E6327 | SMBT3906S E6327 INFINEON SOT-363 | SMBT3906S E6327.pdf | |
![]() | ECEC1VA682CJ | ECEC1VA682CJ PANASONIC DIP | ECEC1VA682CJ.pdf | |
![]() | RJK03B9DPA-00 | RJK03B9DPA-00 RENESAS QFN | RJK03B9DPA-00.pdf | |
![]() | NTD18N06LT4 | NTD18N06LT4 ON DPAK 4 LEAD Single G | NTD18N06LT4.pdf | |
![]() | GS880Z36AT-200 | GS880Z36AT-200 ORIGINAL SMD or Through Hole | GS880Z36AT-200.pdf | |
![]() | LC7471/8781 | LC7471/8781 SANYO DIP | LC7471/8781.pdf | |
![]() | IC41LV16100-35K | IC41LV16100-35K ICSI SOJ | IC41LV16100-35K.pdf |