창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B11,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 933166880113 BZX79-B11 T/R BZX79-B11 T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-B11,113 | |
| 관련 링크 | BZX79-B, BZX79-B11,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | D6252CX | D6252CX NEC DIP8 | D6252CX.pdf | |
![]() | LH351HSU | LH351HSU SHARP SOP | LH351HSU.pdf | |
![]() | K512H1GACAA | K512H1GACAA SAMSUNG BGA | K512H1GACAA.pdf | |
![]() | B017 | B017 ORIGINAL LPCC | B017.pdf | |
![]() | C188EB20 | C188EB20 INTEL SQFP 80 | C188EB20.pdf | |
![]() | TRS3237EIPW | TRS3237EIPW TI SMD or Through Hole | TRS3237EIPW.pdf | |
![]() | FH12-15S-0.5SV | FH12-15S-0.5SV HIROSE SMD or Through Hole | FH12-15S-0.5SV.pdf | |
![]() | BM04504 | BM04504 UNC SMD or Through Hole | BM04504.pdf | |
![]() | CL10R080DB8ANNC | CL10R080DB8ANNC SAMSUNG SMD | CL10R080DB8ANNC.pdf | |
![]() | 0RSB-50T03L | 0RSB-50T03L Bel SOPDIP | 0RSB-50T03L.pdf | |
![]() | HCS500ESI/P | HCS500ESI/P MICROCHIP DIP8 | HCS500ESI/P.pdf | |
![]() | NW1-12D15S | NW1-12D15S SHANGMEI SMD or Through Hole | NW1-12D15S.pdf |