창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX585-C3V3,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX585 Series | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-6295-2 934055839115 BZX585-C3V3 T/R BZX585-C3V3 T/R-ND BZX585-C3V3,115-ND BZX585C3V3115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX585-C3V3,115 | |
관련 링크 | BZX585-C3, BZX585-C3V3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | IMC1812ES1R8J | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 390mA 650 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES1R8J.pdf | |
![]() | 54AC106DMQB | 54AC106DMQB NSC CDIP | 54AC106DMQB.pdf | |
![]() | 74LV273DB118 | 74LV273DB118 NXP SMD or Through Hole | 74LV273DB118.pdf | |
![]() | 805-00011 | 805-00011 Parallax SMD or Through Hole | 805-00011.pdf | |
![]() | LN2145 | LN2145 LN WLCSP-9 | LN2145.pdf | |
![]() | CY28346ZG-2 | CY28346ZG-2 CY SSOP56 | CY28346ZG-2.pdf | |
![]() | DMLH9S6.3BL | DMLH9S6.3BL DEMEX SMD or Through Hole | DMLH9S6.3BL.pdf | |
![]() | IDT72521L35J | IDT72521L35J IDT PLCC68 | IDT72521L35J.pdf | |
![]() | HS-050040U5 | HS-050040U5 ORIGINAL SMD or Through Hole | HS-050040U5.pdf | |
![]() | 2SA683NC | 2SA683NC ORIGINAL to-92 | 2SA683NC.pdf | |
![]() | 7132LA25JI | 7132LA25JI IDT SMD or Through Hole | 7132LA25JI.pdf | |
![]() | 279M1002107KRE | 279M1002107KRE MATSUO SMD | 279M1002107KRE.pdf |