창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX585-B6V8,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX585 Series | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-8467-2 934055867115 BZX585-B6V8 T/R BZX585-B6V8 T/R-ND BZX585-B6V8,115-ND BZX585B6V8115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX585-B6V8,115 | |
관련 링크 | BZX585-B6, BZX585-B6V8,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | MKP386M427160JT5 | 0.27µF Film Capacitor 600V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.319" L x 0.866" W (33.50mm x 22.00mm) | MKP386M427160JT5.pdf | |
![]() | 416F50025ALR | 50MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50025ALR.pdf | |
![]() | SIT8008BI-81-33E-66.000000T | OSC XO 3.3V 66MHZ OE | SIT8008BI-81-33E-66.000000T.pdf | |
![]() | MR856G | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | MR856G.pdf | |
![]() | RW1S0BAR010JE | RES SMD 0.01 OHM 5% 1W J LEAD | RW1S0BAR010JE.pdf | |
![]() | RNCF0603DTE294R | RES SMD 294 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RNCF0603DTE294R.pdf | |
![]() | CMR200TB32.768KDZBTR | CMR200TB32.768KDZBTR CITIZEN SMD | CMR200TB32.768KDZBTR.pdf | |
![]() | 6.3YXF2200M12.5X20 | 6.3YXF2200M12.5X20 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6.3YXF2200M12.5X20.pdf | |
![]() | MAX4126EUA-T | MAX4126EUA-T MAXIM MSOP8 | MAX4126EUA-T.pdf | |
![]() | PKM2510EPIHS | PKM2510EPIHS ERICSSON DIP8 | PKM2510EPIHS.pdf | |
![]() | M2EJ-101R | M2EJ-101R OMRON SMD or Through Hole | M2EJ-101R.pdf |