창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX585-B5V6,135 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX585 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 934055865135 BZX585-B5V6 /T3 BZX585-B5V6 /T3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX585-B5V6,135 | |
| 관련 링크 | BZX585-B5, BZX585-B5V6,135 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MAL212834109E3 | 10µF 10V Aluminum Capacitors Radial 20 Ohm @ 100Hz | MAL212834109E3.pdf | |
![]() | XRCPB40M000F4M00R0 | 40MHz ±45ppm 수정 6pF 100옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCPB40M000F4M00R0.pdf | |
| Y406620K0000T0R | RES SMD 20K OHM 0.01% 1.2W 2512 | Y406620K0000T0R.pdf | ||
![]() | GAL22V10D-15LPN/GAL22V10D-15LP | GAL22V10D-15LPN/GAL22V10D-15LP LATTIC SMD or Through Hole | GAL22V10D-15LPN/GAL22V10D-15LP.pdf | |
![]() | PMB2240 | PMB2240 SIMENS QFP-48 | PMB2240.pdf | |
![]() | 552032-1 | 552032-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 552032-1.pdf | |
![]() | HK1608 3N9K-T | HK1608 3N9K-T ORIGINAL S0603 | HK1608 3N9K-T.pdf | |
![]() | saa1064tn2.112 | saa1064tn2.112 nxp SMD or Through Hole | saa1064tn2.112.pdf | |
![]() | TB6586AFG | TB6586AFG Toshiba SMD or Through Hole | TB6586AFG.pdf | |
![]() | M6117C-AI | M6117C-AI MIT QFP | M6117C-AI.pdf | |
![]() | PS21353 | PS21353 MIT TO | PS21353.pdf | |
![]() | VJ1206Y102KXRAT4X | VJ1206Y102KXRAT4X VISHAY SMD or Through Hole | VJ1206Y102KXRAT4X.pdf |