창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX585-B2V7,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX585 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934055857115 BZX585-B2V7 T/R BZX585-B2V7 T/R-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX585-B2V7,115 | |
관련 링크 | BZX585-B2, BZX585-B2V7,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
V23079A1006B301 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | V23079A1006B301.pdf | ||
4310R-101-184 | RES ARRAY 9 RES 180K OHM 10SIP | 4310R-101-184.pdf | ||
KNP100JR-73-62R | RES 62 OHM 1W 5% AXIAL | KNP100JR-73-62R.pdf | ||
F20A145051ZA0060 | THERMOSTAT 145 DEG C NC 2SIP | F20A145051ZA0060.pdf | ||
UPD65456N7-C12-F6 | UPD65456N7-C12-F6 NEC SMD or Through Hole | UPD65456N7-C12-F6.pdf | ||
894H-2CH1-F-C-12VD | 894H-2CH1-F-C-12VD ORIGINAL SMD or Through Hole | 894H-2CH1-F-C-12VD.pdf | ||
PQ12RP11 | PQ12RP11 SHARP TO-220F-5 | PQ12RP11.pdf | ||
STP1612PW05XTTR | STP1612PW05XTTR ST SMD or Through Hole | STP1612PW05XTTR.pdf | ||
MAX5063AASA+ | MAX5063AASA+ MAX 8-SOIC | MAX5063AASA+.pdf | ||
49F002ANT-55PC | 49F002ANT-55PC AT DIP | 49F002ANT-55PC.pdf | ||
SAK-XC824M-1FGI AA | SAK-XC824M-1FGI AA infineon SMD or Through Hole | SAK-XC824M-1FGI AA.pdf |