창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX384B8V2-HE3-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX384 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX384B8V2-HE3-08 | |
| 관련 링크 | BZX384B8V2, BZX384B8V2-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GS2D-LTP | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC | GS2D-LTP.pdf | |
![]() | RN2967(TE85L,F) | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | RN2967(TE85L,F).pdf | |
![]() | CRCW12063M92FKEB | RES SMD 3.92M OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12063M92FKEB.pdf | |
![]() | RT22C2W103 | RT22C2W103 BOURNS SMD or Through Hole | RT22C2W103.pdf | |
![]() | IRS2153DSTRPBF` | IRS2153DSTRPBF` IR SMD or Through Hole | IRS2153DSTRPBF`.pdf | |
![]() | PIC6027 | PIC6027 ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC6027.pdf | |
![]() | UPD65448S1-102-B6 | UPD65448S1-102-B6 NEC BGA | UPD65448S1-102-B6.pdf | |
![]() | MIC5303-2.5YMT | MIC5303-2.5YMT MIC MLF-4 | MIC5303-2.5YMT.pdf | |
![]() | NRWS101M50V8X11.5F | NRWS101M50V8X11.5F NIC DIP | NRWS101M50V8X11.5F.pdf | |
![]() | 293D685X9010P2TE3 | 293D685X9010P2TE3 VISHAY SMD or Through Hole | 293D685X9010P2TE3.pdf | |
![]() | ICTDV 630809-F | ICTDV 630809-F ORIGINAL SMD or Through Hole | ICTDV 630809-F.pdf | |
![]() | NLAS8252MUTAG// UQFN | NLAS8252MUTAG// UQFN ORIGINAL SMD or Through Hole | NLAS8252MUTAG// UQFN.pdf |