창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX384B30-HE3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX384 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 21V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX384B30-HE3-08 | |
관련 링크 | BZX384B30, BZX384B30-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D121JLXAT | 120pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D121JLXAT.pdf | |
![]() | 7.2WKMH7355 | FUSE 7.2KV 355A M/S 1245 | 7.2WKMH7355.pdf | |
![]() | 445W32J30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 9pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32J30M00000.pdf | |
![]() | RMCP2010FT3M16 | RES SMD 3.16M OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT3M16.pdf | |
![]() | CMF50200R00FKEA | RES 200 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50200R00FKEA.pdf | |
![]() | CLV1550E-LF | CLV1550E-LF ZCOMM SMD or Through Hole | CLV1550E-LF.pdf | |
![]() | RT6588P | RT6588P RATO DIP | RT6588P.pdf | |
![]() | MAX4455ECQ | MAX4455ECQ MAXIM QFP100 | MAX4455ECQ.pdf | |
![]() | Z84C9008ASG | Z84C9008ASG ZILOG CALL | Z84C9008ASG.pdf | |
![]() | IRFD94-7690 | IRFD94-7690 ORIGINAL DIP | IRFD94-7690.pdf | |
![]() | 9T15GJ | 9T15GJ APEC TO-252 | 9T15GJ.pdf | |
![]() | RT1P137PT11 1 | RT1P137PT11 1 MITSUBISHI SMD or Through Hole | RT1P137PT11 1.pdf |