창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV85-C6V8,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZV85 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 50mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 568-11033-2 933500610113 BZV85-C6V8 T/R BZV85-C6V8 T/R-ND BZV85-C6V8,113-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZV85-C6V8,113 | |
관련 링크 | BZV85-C6, BZV85-C6V8,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
AD201ADN | AD201ADN AD CDIP-8 | AD201ADN.pdf | ||
60N06L TO-251 | 60N06L TO-251 UTC SMD or Through Hole | 60N06L TO-251.pdf | ||
LP2951L T/R | LP2951L T/R UTC SOP8 | LP2951L T/R.pdf | ||
LTDX400BSV1.0 | LTDX400BSV1.0 PHI QFP-80 | LTDX400BSV1.0.pdf | ||
ADN2841ACPZ-48 | ADN2841ACPZ-48 AD SMD or Through Hole | ADN2841ACPZ-48.pdf | ||
RN731JTTD1540B25 | RN731JTTD1540B25 KOA SMD or Through Hole | RN731JTTD1540B25.pdf | ||
LE882266TQC | LE882266TQC MICROSEMI SMD or Through Hole | LE882266TQC.pdf | ||
LM106DH | LM106DH NULL NULL | LM106DH.pdf | ||
SDT-S-112 DMR | SDT-S-112 DMR ORIGINAL SMD or Through Hole | SDT-S-112 DMR.pdf | ||
221540-2 | 221540-2 AMP SMD or Through Hole | 221540-2.pdf | ||
SR35-20 | SR35-20 LAMBDA SMD or Through Hole | SR35-20.pdf | ||
AL01A | AL01A ORIGINAL TSSOP | AL01A.pdf |