창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV85-C39,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV85 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 27V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 50mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 568-11025-2 933500790113 BZV85-C39 T/R BZV85-C39 T/R-ND BZV85-C39,113-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV85-C39,113 | |
| 관련 링크 | BZV85-C, BZV85-C39,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805DRE07866RL | RES SMD 866 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07866RL.pdf | |
![]() | PTN1206E1303BST1 | RES SMD 130K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1303BST1.pdf | |
![]() | CMF552K1000DHR6 | RES 2.1K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF552K1000DHR6.pdf | |
![]() | H812K4BZA | RES 12.4K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H812K4BZA.pdf | |
![]() | AT24C16AN-10SZ-2.7 | AT24C16AN-10SZ-2.7 AT SOP8 | AT24C16AN-10SZ-2.7.pdf | |
![]() | FBT3(JXP0520-0 | FBT3(JXP0520-0 NSF FUSE | FBT3(JXP0520-0.pdf | |
![]() | D12287-000 | D12287-000 Tyco con | D12287-000.pdf | |
![]() | 2011-12G-415-CR | 2011-12G-415-CR NELTRON SMD or Through Hole | 2011-12G-415-CR.pdf | |
![]() | BB52 | BB52 NXP TSSOP | BB52.pdf | |
![]() | B57421V2102K062 | B57421V2102K062 EPCOS SMD or Through Hole | B57421V2102K062.pdf | |
![]() | NTE5824 | NTE5824 NTE DO-4 | NTE5824.pdf |