창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV85-C33,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV85 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 23V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 50mA | |
| 작동 온도 | 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 568-11024-2 933500770113 BZV85-C33 T/R BZV85-C33 T/R-ND BZV85-C33,113-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV85-C33,113 | |
| 관련 링크 | BZV85-C, BZV85-C33,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | BFC246928394 | 0.39µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC246928394.pdf | |
![]() | 416F480X3CLR | 48MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X3CLR.pdf | |
![]() | CLP-108-02-G-D | CLP-108-02-G-D AB A | CLP-108-02-G-D.pdf | |
![]() | NF4-UITRA-A3 | NF4-UITRA-A3 NVIDIA QFP BGA | NF4-UITRA-A3.pdf | |
![]() | SML74WJ | SML74WJ ORIGINAL SMD or Through Hole | SML74WJ.pdf | |
![]() | R1210N502D-TR | R1210N502D-TR RICOH SMD or Through Hole | R1210N502D-TR.pdf | |
![]() | T581B | T581B I TO92 | T581B.pdf | |
![]() | MUR860CT | MUR860CT SS TO-220 | MUR860CT.pdf | |
![]() | 11606A | 11606A ELMOS PLCC28 | 11606A.pdf | |
![]() | 7E04TB-4R7N | 7E04TB-4R7N SAGAMI SMD or Through Hole | 7E04TB-4R7N.pdf | |
![]() | CL05U010CB5ANNC | CL05U010CB5ANNC SAMSUNG SMD | CL05U010CB5ANNC.pdf | |
![]() | NEXT224Z5.5V14.5X12F | NEXT224Z5.5V14.5X12F NIC DIP | NEXT224Z5.5V14.5X12F.pdf |