창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV55C8V2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV55_C2V4-BZV55_C75 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV55C8V2 | |
| 관련 링크 | BZV55, BZV55C8V2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | L-15W2N2SV4E | 2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 60 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | L-15W2N2SV4E.pdf | |
![]() | 789102A-612 | 789102A-612 NEC SSOP30 | 789102A-612.pdf | |
![]() | TC7WZ125FK | TC7WZ125FK TOSHIBA US8 | TC7WZ125FK.pdf | |
![]() | 128P33T | 128P33T INTEL BGA | 128P33T.pdf | |
![]() | MAX809LTR 4.63 | MAX809LTR 4.63 MPN SOT23 | MAX809LTR 4.63.pdf | |
![]() | COP444-SKG/N | COP444-SKG/N NS DIP28 | COP444-SKG/N.pdf | |
![]() | PCA9546ARGVT | PCA9546ARGVT TI QFN | PCA9546ARGVT.pdf | |
![]() | EPM7064STC-7 | EPM7064STC-7 ALTERA QFP | EPM7064STC-7.pdf | |
![]() | THT-44-426-10 | THT-44-426-10 BDY SMD or Through Hole | THT-44-426-10.pdf | |
![]() | J215-D2A | J215-D2A LEACH SMD or Through Hole | J215-D2A.pdf | |
![]() | KBJ1010G | KBJ1010G ORIGINAL SMD or Through Hole | KBJ1010G.pdf | |
![]() | DCP010505BRU | DCP010505BRU BB DIP | DCP010505BRU.pdf |