창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV55C27 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZV55_C2V4-BZV55_C75 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | - | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 18.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZV55C27 | |
관련 링크 | BZV5, BZV55C27 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
THJA106K006RJN | 10µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1206 (3216 Metric) 2.2 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | THJA106K006RJN.pdf | ||
SPD125-332M | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 5.5A 30 mOhm Max Nonstandard | SPD125-332M.pdf | ||
PWR263S-35-5R00JE | RES SMD 5 OHM 5% 35W D2PAK | PWR263S-35-5R00JE.pdf | ||
IDT2308-1HDC | IDT2308-1HDC IDT SMD or Through Hole | IDT2308-1HDC.pdf | ||
5057-9404 | 5057-9404 MOLEX SMD or Through Hole | 5057-9404.pdf | ||
VJ1206A121KXCMT 1206-121K 200V B | VJ1206A121KXCMT 1206-121K 200V B VISHAY SMD or Through Hole | VJ1206A121KXCMT 1206-121K 200V B.pdf | ||
LFBK2125HS150-T | LFBK2125HS150-T ORIGINAL SMD or Through Hole | LFBK2125HS150-T.pdf | ||
CD73-2R2M | CD73-2R2M ORIGINAL SMD or Through Hole | CD73-2R2M.pdf | ||
DAC03ACX2 | DAC03ACX2 PMI DIP | DAC03ACX2.pdf | ||
BLM21A152FPTM00-03+00-03 | BLM21A152FPTM00-03+00-03 MURATA SMD | BLM21A152FPTM00-03+00-03.pdf | ||
GRM42-6Y5V106Z6 | GRM42-6Y5V106Z6 Murata SMD or Through Hole | GRM42-6Y5V106Z6.pdf | ||
BUK55-600B | BUK55-600B NXP TO-220 | BUK55-600B.pdf |