창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV55C15 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV55_C2V4-BZV55_C75 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 10.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV55C15 | |
| 관련 링크 | BZV5, BZV55C15 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | 36502A8N7JTDG | 8.7nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 210 mOhm Max Nonstandard | 36502A8N7JTDG.pdf | |
![]() | TEP318 | TEP318 INF TO-252 | TEP318.pdf | |
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![]() | 02DZ3.6 | 02DZ3.6 TOSHIBA SMD or Through Hole | 02DZ3.6.pdf | |
![]() | TMS-140-02-T-S-RA-002 | TMS-140-02-T-S-RA-002 SAM SMD | TMS-140-02-T-S-RA-002.pdf | |
![]() | CXD2585 | CXD2585 SONY TQFP80 | CXD2585.pdf | |
![]() | MB81F161622C80FNER | MB81F161622C80FNER FUJITSU SMD or Through Hole | MB81F161622C80FNER.pdf | |
![]() | AN6541 | AN6541 PANASONIC TO220 | AN6541.pdf | |
![]() | 494-10UYT-S530-A3 | 494-10UYT-S530-A3 EVERLIGHT DIP | 494-10UYT-S530-A3.pdf | |
![]() | LT1826-1564 | LT1826-1564 LINEAR TO-92 | LT1826-1564.pdf | |
![]() | 74LV02ANSR | 74LV02ANSR TI SOP5.2 | 74LV02ANSR.pdf |