창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV55C10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZV55_C2V4-BZV55_C75 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | - | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZV55C10 | |
관련 링크 | BZV5, BZV55C10 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
416F36012AKT | 36MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36012AKT.pdf | ||
ERJ-PA3D7152V | RES SMD 71.5K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D7152V.pdf | ||
ERG-1SJ680A | RES 68 OHM 1W 5% AXIAL | ERG-1SJ680A.pdf | ||
MBB02070D9651DC100 | RES 9.65K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D9651DC100.pdf | ||
ABAC | ABAC ORIGINAL 6 SOT-23 | ABAC.pdf | ||
CD60T | CD60T ORIGINAL SMD or Through Hole | CD60T.pdf | ||
875824V | 875824V TI QFP | 875824V.pdf | ||
A6276LG | A6276LG YOKOGAWA QFP-100 | A6276LG.pdf | ||
BC5070M0302 | BC5070M0302 ORIGINAL SMD or Through Hole | BC5070M0302.pdf | ||
LP3874 | LP3874 ORIGINAL TO-220-5 | LP3874.pdf | ||
71321SA35J | 71321SA35J IDT PLCC | 71321SA35J.pdf | ||
UPD23C32000LGY-882-MJH | UPD23C32000LGY-882-MJH NEC SMD or Through Hole | UPD23C32000LGY-882-MJH.pdf |