창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV55-C9V1,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZV55 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 568-6272-2 933699510115 BZV55-C9V1 T/R BZV55-C9V1 T/R-ND BZV55-C9V1,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZV55-C9V1,115 | |
관련 링크 | BZV55-C9, BZV55-C9V1,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
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![]() | VJ1808Y471JBGAT4X | 470pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808Y471JBGAT4X.pdf | |
![]() | RRH040P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 | RRH040P03TB1.pdf | |
![]() | SC32-470 | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 1.47 Ohm Max Nonstandard | SC32-470.pdf | |
![]() | CMF5530R900DHBF | RES 30.9 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5530R900DHBF.pdf | |
![]() | RYT3080001/2CR1A | RYT3080001/2CR1A ORIGINAL QFP | RYT3080001/2CR1A.pdf | |
![]() | TLV431BIDBVRR | TLV431BIDBVRR TI SMD or Through Hole | TLV431BIDBVRR.pdf | |
![]() | 30-01VGC | 30-01VGC EVERLIGHT ROHS | 30-01VGC.pdf | |
![]() | CBW321609U122 | CBW321609U122 FH SMD | CBW321609U122.pdf | |
![]() | MAX4016ESA+ | MAX4016ESA+ MaximIntegratedProducts 8-SOIC3.9mm | MAX4016ESA+.pdf | |
![]() | 7WA5672005 | 7WA5672005 ORIGINAL SMD or Through Hole | 7WA5672005.pdf | |
![]() | TMCHP0J685 | TMCHP0J685 HITACHI SMD or Through Hole | TMCHP0J685.pdf |