창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV55-C4V3,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV55 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 568-6265-2 933699430115 BZV55-C4V3 T/R BZV55-C4V3 T/R-ND BZV55-C4V3,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV55-C4V3,115 | |
| 관련 링크 | BZV55-C4, BZV55-C4V3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CL31C103JAFNNNF | 10000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C103JAFNNNF.pdf | |
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![]() | IMC1812ERR68K | 680nH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 1.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ERR68K.pdf | |
![]() | CRCW0402620KJNTD | RES SMD 620K OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW0402620KJNTD.pdf | |
![]() | 767143122GP | RES ARRAY 7 RES 1.2K OHM 14SOIC | 767143122GP.pdf | |
![]() | 15P06 | 15P06 ORIGINAL TO-251 | 15P06.pdf | |
![]() | F10606.1 | F10606.1 ORIGINAL SOP | F10606.1.pdf | |
![]() | 1676212-1 | 1676212-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1676212-1.pdf | |
![]() | 6P03LV | 6P03LV NIKOS SOP8 | 6P03LV.pdf | |
![]() | HMC545 TEL:82766440 | HMC545 TEL:82766440 HITTITE SOT163 | HMC545 TEL:82766440.pdf | |
![]() | NTE6073 | NTE6073 NTE SMD or Through Hole | NTE6073.pdf | |
![]() | 3216TD1-R | 3216TD1-R BUSSMANN SMD or Through Hole | 3216TD1-R.pdf |