창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV55-C3V0,135 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZV55 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 933699390135 BZV55-C3V0 /T3 BZV55-C3V0 /T3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZV55-C3V0,135 | |
관련 링크 | BZV55-C3, BZV55-C3V0,135 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
416F3001XAKT | 30MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3001XAKT.pdf | ||
SIT5002AI-2E-33E0-155.520000Y | OSC XO 3.3V 155.52MHZ OE | SIT5002AI-2E-33E0-155.520000Y.pdf | ||
CMF55121R00FHR6 | RES 121 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55121R00FHR6.pdf | ||
BAT54SLT1G LD3 | BAT54SLT1G LD3 ON SOT23 | BAT54SLT1G LD3.pdf | ||
IR10610 | IR10610 ORIGINAL DIP-16P | IR10610.pdf | ||
VJ1206Y154JBMT54(1206-154J) | VJ1206Y154JBMT54(1206-154J) VISHAY 1206 | VJ1206Y154JBMT54(1206-154J).pdf | ||
TA8316S-SIP5 | TA8316S-SIP5 TOS SMD or Through Hole | TA8316S-SIP5.pdf | ||
TA2041F-EL | TA2041F-EL TOS SOP | TA2041F-EL.pdf | ||
JST03U-10LT100G | JST03U-10LT100G ORIGINAL QFP | JST03U-10LT100G.pdf | ||
AL-314B2C | AL-314B2C A-BRIGHT ROHS | AL-314B2C.pdf | ||
PBL38621/2R3-PLCC28 | PBL38621/2R3-PLCC28 INFINEON PLCC-28 | PBL38621/2R3-PLCC28.pdf | ||
CXK581000BTM-55LL | CXK581000BTM-55LL SONY TSOP32 | CXK581000BTM-55LL.pdf |