창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV55-B5V1,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV55 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 568-6249-2 933827680115 BZV55-B5V1 T/R BZV55-B5V1 T/R-ND BZV55-B5V1,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV55-B5V1,115 | |
| 관련 링크 | BZV55-B5, BZV55-B5V1,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
|  | F1778522K3KCT0 | 2.2µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.591" W (31.50mm x 15.00mm) | F1778522K3KCT0.pdf | |
|  | 1-1904027-1 | V23234A1004X050-EV-100 | 1-1904027-1.pdf | |
|  | M30623MAA-5PGP | M30623MAA-5PGP MISUBSHI QFP | M30623MAA-5PGP.pdf | |
|  | T491A684M035AS | T491A684M035AS KEMET SMD | T491A684M035AS.pdf | |
|  | SBP11AK | SBP11AK PHILPS SSOP | SBP11AK.pdf | |
|  | 73-774-000 | 73-774-000 AST SMD or Through Hole | 73-774-000.pdf | |
|  | ELS-316GWB | ELS-316GWB EVERLIGHT DIP | ELS-316GWB.pdf | |
|  | MURS320T3 (MC33263) | MURS320T3 (MC33263) ON SOP6 | MURS320T3 (MC33263).pdf | |
|  | K4D263238EGC33 | K4D263238EGC33 SAM BGA | K4D263238EGC33.pdf | |
|  | H2GM7 | H2GM7 ORIGINAL SOT23-3 | H2GM7.pdf | |
|  | EETXB2W820HA | EETXB2W820HA PANASONIC DIP | EETXB2W820HA.pdf | |
|  | SIS760GXLV A3 | SIS760GXLV A3 SIS BGA | SIS760GXLV A3.pdf |