창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV55-B3V3,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV55 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 568-8037-2 933827630115 BZV55-B3V3 T/R BZV55-B3V3 T/R-ND BZV55-B3V3,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV55-B3V3,115 | |
| 관련 링크 | BZV55-B3, BZV55-B3V3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 445C3XD14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XD14M31818.pdf | |
![]() | AR0805FR-07105RL | RES SMD 105 OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-07105RL.pdf | |
![]() | SD-35A-12 | SD-35A-12 HSE AC-DC | SD-35A-12.pdf | |
![]() | NIS04J56NTRF | NIS04J56NTRF NIS SMD | NIS04J56NTRF.pdf | |
![]() | 12061%A2672 | 12061%A2672 ORIGINAL SMD or Through Hole | 12061%A2672.pdf | |
![]() | UPD65658GF-208-3BA | UPD65658GF-208-3BA NEC QFP | UPD65658GF-208-3BA.pdf | |
![]() | CS-110054 | CS-110054 CABLEX SMD | CS-110054.pdf | |
![]() | 100CE10PC | 100CE10PC SANYO SMD or Through Hole | 100CE10PC.pdf | |
![]() | NTE6006 | NTE6006 ANY SMD or Through Hole | NTE6006.pdf | |
![]() | SG110T | SG110T LINFINIT CAN | SG110T.pdf | |
![]() | HM6166LP-4 | HM6166LP-4 HITACHI DIP-24 | HM6166LP-4.pdf | |
![]() | JL=BF | JL=BF ORIGINAL QFN | JL=BF.pdf |