창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV55-B27,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZV55 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 18.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 568-11156-2 933931790115 BZV55-B27 T/R BZV55-B27 T/R-ND BZV55-B27,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZV55-B27,115 | |
관련 링크 | BZV55-B, BZV55-B27,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
VJ0603D151JXXAJ | 150pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D151JXXAJ.pdf | ||
MLG0603P4N3JT000 | 4.3nH Unshielded Multilayer Inductor 350mA 400 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P4N3JT000.pdf | ||
AT0402DRD072K74L | RES SMD 2.74KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD072K74L.pdf | ||
RT1206BRE0711K8L | RES SMD 11.8K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0711K8L.pdf | ||
CPL10R0200FB313 | RES 0.02 OHM 10W 1% AXIAL | CPL10R0200FB313.pdf | ||
74502r | 74502r ech SMD or Through Hole | 74502r.pdf | ||
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AD976AANZ/DIP | AD976AANZ/DIP ADI DIP-28 | AD976AANZ/DIP.pdf | ||
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CK45-B3AD101KYGR | CK45-B3AD101KYGR TDK DIP | CK45-B3AD101KYGR.pdf | ||
P508 | P508 TOSHIBA DIP-6 | P508.pdf | ||
XC3042A-6CPC84C | XC3042A-6CPC84C XILINX PLCC | XC3042A-6CPC84C.pdf |