창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV49-C3V6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BZV49-C3V6 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT89 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BZV49-C3V6 | |
| 관련 링크 | BZV49-, BZV49-C3V6 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
|  | F950J107KQAAQ2 | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 1206 (3216 Metric) 1.1 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | F950J107KQAAQ2.pdf | |
| .jpg) | RT0603DRD0729R4L | RES SMD 29.4 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD0729R4L.pdf | |
|  | RG3216N-1433-W-T1 | RES SMD 143K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-1433-W-T1.pdf | |
|  | 20J2R0 | RES 2 OHM 10W 5% AXIAL | 20J2R0.pdf | |
|  | RNA4A8E100JT | RNA4A8E100JT AVX SMD | RNA4A8E100JT.pdf | |
|  | NFM3212R13C221RT1M | NFM3212R13C221RT1M MURATA SMD or Through Hole | NFM3212R13C221RT1M.pdf | |
|  | CL201212T-3R3S-N | CL201212T-3R3S-N ORIGINAL SMD or Through Hole | CL201212T-3R3S-N.pdf | |
|  | XC3142A-PQ100 | XC3142A-PQ100 XILINX SMD or Through Hole | XC3142A-PQ100.pdf | |
|  | 2SK1835E | 2SK1835E HITACHI TO3P | 2SK1835E.pdf | |
|  | SB2112G | SB2112G SINOMAT SSOP-16 | SB2112G.pdf | |
|  | AD9617JNZ | AD9617JNZ ADI DIP8 | AD9617JNZ.pdf | |
|  | VPC500E02 | VPC500E02 OTHERS SMD or Through Hole | VPC500E02.pdf |