창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT585B8V2T-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT585B2V4T-BZT585B43T | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT585B8V2T-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT585B8V2T-7 | |
관련 링크 | BZT585B, BZT585B8V2T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
3404.2314.11 | FUSE BRD MNT 3A 125VAC/VDC 2SMD | 3404.2314.11.pdf | ||
GL111F35CET | 11.0592MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL111F35CET.pdf | ||
ERJ-P6WF1471V | RES SMD 1.47K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF1471V.pdf | ||
CMF55234K00BHEK | RES 234K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55234K00BHEK.pdf | ||
TSCSGNN001PGUCV | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.78mm) Tube 0 mV ~ 7.5 mV (5V) 4-SIP, Side Port | TSCSGNN001PGUCV.pdf | ||
iM4A5-32/32-7JNC-1JNI | iM4A5-32/32-7JNC-1JNI Lattice PLCC | iM4A5-32/32-7JNC-1JNI.pdf | ||
03-06-1041 | 03-06-1041 MOLEX SMD or Through Hole | 03-06-1041.pdf | ||
DS8832N | DS8832N NS DIP | DS8832N.pdf | ||
CI-1011 | CI-1011 ORIGINAL SMD or Through Hole | CI-1011.pdf | ||
LM2586S | LM2586S NS TO220-7P | LM2586S.pdf | ||
EM63732TQ-7 | EM63732TQ-7 ORIGINAL QFP | EM63732TQ-7.pdf | ||
0805223Z | 0805223Z MURATA SMD or Through Hole | 0805223Z.pdf |