창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT585B6V2T-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT585B2V4T-BZT585B43T | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT585B6V2T-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT585B6V2T-7 | |
| 관련 링크 | BZT585B, BZT585B6V2T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | FCN1210A682J-G2 | 6800pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | FCN1210A682J-G2.pdf | |
![]() | SIT9002AI-33H33DK | 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 51mA | SIT9002AI-33H33DK.pdf | |
![]() | 103R-821FS | 820nH Unshielded Inductor 430mA 530 mOhm Max 2-SMD | 103R-821FS.pdf | |
![]() | MDT2010EP-D | MDT2010EP-D ORIGINAL 18DIP | MDT2010EP-D.pdf | |
![]() | MLRR-4 | MLRR-4 HAMLIN DIP | MLRR-4.pdf | |
![]() | VI-JWH-CW | VI-JWH-CW VICOR SMD or Through Hole | VI-JWH-CW.pdf | |
![]() | B3W-1052 | B3W-1052 ORIGINAL SMD or Through Hole | B3W-1052.pdf | |
![]() | AOU474 | AOU474 AOS TO-251 | AOU474.pdf | |
![]() | NRLF271M160V 25x20 F | NRLF271M160V 25x20 F NIC DIP | NRLF271M160V 25x20 F.pdf | |
![]() | CY7C4251-10JXC | CY7C4251-10JXC Cypress SMD or Through Hole | CY7C4251-10JXC.pdf | |
![]() | IS41LV16257-50KI | IS41LV16257-50KI ISSI SOJ | IS41LV16257-50KI.pdf | |
![]() | T10D8 | T10D8 SanRex TO-220 | T10D8.pdf |