창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT55C3V0-GS18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT55 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 4µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-80 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-80 QuadroMELF | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT55C3V0-GS18 | |
| 관련 링크 | BZT55C3V, BZT55C3V0-GS18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0225C1E6R7WDAEL | 6.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E6R7WDAEL.pdf | |
| CLF12555T-100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 3.9A 25.2 mOhm Max Nonstandard | CLF12555T-100M.pdf | ||
![]() | ML6201P452PRG | ML6201P452PRG MDC SOT-89 | ML6201P452PRG.pdf | |
![]() | CR08MT1G | CR08MT1G ON SOT-223 | CR08MT1G.pdf | |
![]() | AN6676 | AN6676 PAN DIP-24 | AN6676.pdf | |
![]() | 1N4948GPE354 | 1N4948GPE354 gs SMD or Through Hole | 1N4948GPE354.pdf | |
![]() | B1212XES-2W | B1212XES-2W MICRODC SIP12 | B1212XES-2W.pdf | |
![]() | GS3800-808-001AA.B1 | GS3800-808-001AA.B1 ORIGINAL SMD or Through Hole | GS3800-808-001AA.B1.pdf | |
![]() | S7AH-08E1A00 | S7AH-08E1A00 BELFUSE SOP | S7AH-08E1A00.pdf | |
![]() | MBM29DL324TE90PFTN | MBM29DL324TE90PFTN FUJITSU SMD or Through Hole | MBM29DL324TE90PFTN.pdf | |
![]() | AD5660CRJ-3 | AD5660CRJ-3 AD SOT23 | AD5660CRJ-3.pdf |