창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT55B3V6-GS18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT55 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-80 변형 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80 QuadroMELF | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT55B3V6-GS18 | |
관련 링크 | BZT55B3V, BZT55B3V6-GS18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TS600T33CDT | 60MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS600T33CDT.pdf | |
![]() | EXB-28V681JX | RES ARRAY 4 RES 680 OHM 0804 | EXB-28V681JX.pdf | |
![]() | FJP3303H1 | FJP3303H1 FSC SMD or Through Hole | FJP3303H1.pdf | |
![]() | 2SB62 | 2SB62 TOS TO-3 | 2SB62.pdf | |
![]() | T10D6H | T10D6H SanRex TO-263 | T10D6H.pdf | |
![]() | IDT71V30VL90TF | IDT71V30VL90TF IDT TQFP | IDT71V30VL90TF.pdf | |
![]() | 54265-2611 | 54265-2611 MOLEX SMD or Through Hole | 54265-2611.pdf | |
![]() | APSA100ESS271MHB5S | APSA100ESS271MHB5S NIPPONCHEMI-COM SMD or Through Hole | APSA100ESS271MHB5S.pdf | |
![]() | RT9220GQV | RT9220GQV RICHTEK SMD or Through Hole | RT9220GQV.pdf | |
![]() | 384682-000 | 384682-000 TycoElectronics/ SMD or Through Hole | 384682-000.pdf | |
![]() | TDA7572 | TDA7572 ST QFP64 | TDA7572.pdf | |
![]() | MT4S300 | MT4S300 TOSHIBA SSOPQ | MT4S300.pdf |