창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-C4V7,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52H Series | |
카탈로그 페이지 | 1507 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 78옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-3776-2 934059392115 BZT52H-C4V7 T/R BZT52HC4V7115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-C4V7,115 | |
관련 링크 | BZT52H-C4, BZT52H-C4V7,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
017039 | 19.44MHz 수정 | 017039.pdf | ||
RT2010DKE0722K6L | RES SMD 22.6K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0722K6L.pdf | ||
RT1206WRB0756R2L | RES SMD 56.2 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB0756R2L.pdf | ||
TNPW2512196KBETG | RES SMD 196K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512196KBETG.pdf | ||
MB87L8191PFT-G-BNDE1 | MB87L8191PFT-G-BNDE1 FUJITSU TQFP120 | MB87L8191PFT-G-BNDE1.pdf | ||
MSP3410GB8V3. | MSP3410GB8V3. MICRONAS QFP80 | MSP3410GB8V3..pdf | ||
2.5V0.47F | 2.5V0.47F ORIGINAL SMD or Through Hole | 2.5V0.47F.pdf | ||
NJU6402BM(TE1) | NJU6402BM(TE1) JRC SOP | NJU6402BM(TE1).pdf | ||
LP3981LD-2.83/NOPB | LP3981LD-2.83/NOPB NS LLP6 | LP3981LD-2.83/NOPB.pdf | ||
SN74LV1G08DCKR | SN74LV1G08DCKR TI SOT153 | SN74LV1G08DCKR.pdf | ||
AP1186T525L-U | AP1186T525L-U DiodesInc TO-220-5 | AP1186T525L-U.pdf | ||
L7583CAI | L7583CAI ORIGINAL SOP | L7583CAI.pdf |