창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-B8V2,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52H Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934064792115 BZT52H-B8V2115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-B8V2,115 | |
관련 링크 | BZT52H-B8, BZT52H-B8V2,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
VJ1812A200KBBAT4X | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A200KBBAT4X.pdf | ||
P4KE39C-B | TVS DIODE 33.3VWM 56.6VC AXIAL | P4KE39C-B.pdf | ||
CMF55154R00FHEB | RES 154 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55154R00FHEB.pdf | ||
LNK616GG | Converter Offline Flyback Topology Up to 85kHz SMD-8C | LNK616GG.pdf | ||
2SJ201,2SK1530,2SA1943,2SC5200 | 2SJ201,2SK1530,2SA1943,2SC5200 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SJ201,2SK1530,2SA1943,2SC5200.pdf | ||
174515-6 | 174515-6 AMP SMD or Through Hole | 174515-6.pdf | ||
05UJ1R7B50AH | 05UJ1R7B50AH KYOCERA SMD | 05UJ1R7B50AH.pdf | ||
L831GGW | L831GGW N/A DIP | L831GGW.pdf | ||
SMBJ26CA/5 | SMBJ26CA/5 GSI SMD or Through Hole | SMBJ26CA/5.pdf | ||
MEK30-04-DAT | MEK30-04-DAT MATUSUKI SMD or Through Hole | MEK30-04-DAT.pdf | ||
ED1303 | ED1303 ORIGINAL SMD or Through Hole | ED1303.pdf | ||
240-243 | 240-243 ORIGINAL NEW | 240-243.pdf |