창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-B6V8,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52H Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11962-2-ND 934064789115 BZT52H-B6V8,115-ND BZT52H-B6V8115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-B6V8,115 | |
관련 링크 | BZT52H-B6, BZT52H-B6V8,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
LP130F33CDT | 13MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP130F33CDT.pdf | ||
EXB-V8V2R2JV | RES ARRAY 4 RES 2.2 OHM 1206 | EXB-V8V2R2JV.pdf | ||
MC5174BDW | MC5174BDW ORIGINAL DIP | MC5174BDW.pdf | ||
TA2363F | TA2363F TOSHIBA SOP | TA2363F.pdf | ||
UC1840J/883BC | UC1840J/883BC UC DIP | UC1840J/883BC.pdf | ||
PS21254-AEP | PS21254-AEP MITSUBISHI DIP-IPM | PS21254-AEP.pdf | ||
PTJCGG2-E | PTJCGG2-E SII STOCK | PTJCGG2-E.pdf | ||
82564EZ | 82564EZ INTEL BGA | 82564EZ.pdf | ||
20RF-JMCS-G-1-TF(LF)(SN) | 20RF-JMCS-G-1-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 20RF-JMCS-G-1-TF(LF)(SN).pdf | ||
C0402C680J5GAC | C0402C680J5GAC KEMET Original Package | C0402C680J5GAC.pdf | ||
HC4K-HL-5V | HC4K-HL-5V Panasonic DIP-SOP | HC4K-HL-5V.pdf | ||
TV8405-2061 | TV8405-2061 SONY SMD or Through Hole | TV8405-2061.pdf |