창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-B5V6,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52H Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11149-2 934064787115 BZT52H-B5V6,115-ND BZT52H-B5V6115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-B5V6,115 | |
관련 링크 | BZT52H-B5, BZT52H-B5V6,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
HK10058N2S-T | 8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 380mA 280 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | HK10058N2S-T.pdf | ||
CP001510R00JB143 | RES 10 OHM 15W 5% AXIAL | CP001510R00JB143.pdf | ||
SST89E58DR2-40-C-NJ | SST89E58DR2-40-C-NJ SST PLCC44 | SST89E58DR2-40-C-NJ.pdf | ||
TLC27L9CNS | TLC27L9CNS TI SOP14L | TLC27L9CNS.pdf | ||
DTV32F150 | DTV32F150 ST SMD or Through Hole | DTV32F150.pdf | ||
ED111F5-85 | ED111F5-85 synapse SMD or Through Hole | ED111F5-85.pdf | ||
65640AE-P28 | 65640AE-P28 N/A DIP | 65640AE-P28.pdf | ||
PT7M7825TTAE | PT7M7825TTAE PERICOM SMD or Through Hole | PT7M7825TTAE.pdf | ||
L-S110LBCT | L-S110LBCT SMD SMD or Through Hole | L-S110LBCT.pdf | ||
VC0937 | VC0937 VIMICRO QFN | VC0937.pdf | ||
SA-7052C | SA-7052C COPAL SMD or Through Hole | SA-7052C.pdf | ||
FCX-04C-T-13.44MHZ | FCX-04C-T-13.44MHZ CRYSTAL SMD | FCX-04C-T-13.44MHZ.pdf |