창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-B3V6,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52H Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11142-2 934064782115 BZT52H-B3V6,115-ND BZT52H-B3V6115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-B3V6,115 | |
관련 링크 | BZT52H-B3, BZT52H-B3V6,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 407F39E016M3840 | 16.384MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407F39E016M3840.pdf | |
![]() | PAL16R8-12/BRA | PAL16R8-12/BRA LSI DIP | PAL16R8-12/BRA.pdf | |
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![]() | AW9656QN* | AW9656QN* ORIGINAL SOP8 | AW9656QN*.pdf | |
![]() | 3CA3B | 3CA3B CHINA SMD or Through Hole | 3CA3B.pdf | |
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![]() | OV620-B64GDVP | OV620-B64GDVP ORIGINAL SMD or Through Hole | OV620-B64GDVP.pdf | |
![]() | SN237789DBZR | SN237789DBZR TI SOT-23 | SN237789DBZR.pdf | |
![]() | 19-226SURSYGC-S530-A2 | 19-226SURSYGC-S530-A2 ORIGINAL SMD | 19-226SURSYGC-S530-A2.pdf | |
![]() | BYV20-40 | BYV20-40 PHILIPS SMD or Through Hole | BYV20-40.pdf |