창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C9V1LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C9V1LP-7-F BZT52C9V1LP-FDITR BZT52C9V1LP-FDITR-ND BZT52C9V1LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C9V1LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C9, BZT52C9V1LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| AOWF4N60 | MOSFET N-CH 600V 4A TO262F | AOWF4N60.pdf | ||
![]() | Y0062350R000B0L | RES 350 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0062350R000B0L.pdf | |
![]() | LMV824MTR | LMV824MTR NS SMD or Through Hole | LMV824MTR.pdf | |
![]() | EEVHB1V470P | EEVHB1V470P PANASONIC SMD | EEVHB1V470P.pdf | |
![]() | 2SJ334,J334 | 2SJ334,J334 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SJ334,J334.pdf | |
![]() | 88F5182-A2 | 88F5182-A2 MARVELL BGA | 88F5182-A2.pdf | |
![]() | DG182A/883 | DG182A/883 SILICONIX SMD or Through Hole | DG182A/883.pdf | |
![]() | GD74LS14J/B | GD74LS14J/B GS DIP14 | GD74LS14J/B.pdf | |
![]() | SC63-11.0592-18 | SC63-11.0592-18 SUNKYUNGTELECOM X-TAL(6035)11.0592M | SC63-11.0592-18.pdf | |
![]() | 084H261 | 084H261 ORIGINAL SSOP | 084H261.pdf | |
![]() | MM1371XVBF | MM1371XVBF ORIGINAL SSOP | MM1371XVBF.pdf | |
![]() | XP4215/XP04215 | XP4215/XP04215 PANASONI SOT363 | XP4215/XP04215.pdf |