창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C9V1-13-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0-BZT52C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | BZT52C9V1-13-FDI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C9V1-13-F | |
관련 링크 | BZT52C9V, BZT52C9V1-13-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | HVCB0805FKD10M0 | RES SMD 10M OHM 1% 1/5W 0805 | HVCB0805FKD10M0.pdf | |
![]() | RG3216V-1372-B-T5 | RES SMD 13.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-1372-B-T5.pdf | |
![]() | FX-8EYR | FX-8EYR MIT SMD or Through Hole | FX-8EYR.pdf | |
![]() | BUK9514-55 | BUK9514-55 PHI SMD or Through Hole | BUK9514-55.pdf | |
![]() | NATT102M25V16X17HSF | NATT102M25V16X17HSF NIC SMD or Through Hole | NATT102M25V16X17HSF.pdf | |
![]() | NF-TM-MCP | NF-TM-MCP NVIDIA BGA | NF-TM-MCP.pdf | |
![]() | NE5018P-35 | NE5018P-35 MIT DIP | NE5018P-35.pdf | |
![]() | CH2152 | CH2152 MRT QFP | CH2152.pdf | |
![]() | 2SB1416-P | 2SB1416-P ORIGINAL MT-3-AI | 2SB1416-P.pdf | |
![]() | 7E06NA-5R6M | 7E06NA-5R6M SAGAMI SMD | 7E06NA-5R6M.pdf | |
![]() | AE0J107M6L005 | AE0J107M6L005 SAMWHA SMD or Through Hole | AE0J107M6L005.pdf |