창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C8V2T-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V6T - BZT52C24T | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C8V2T-7-ND BZT52C8V2T-7DITR BZT52C8V2T7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C8V2T-7 | |
관련 링크 | BZT52C8, BZT52C8V2T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | TR/3216TD4-R | FUSE BOARD MNT 4A 32VAC/VDC 1206 | TR/3216TD4-R.pdf | |
RLB9012-273KL | 27mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 82.7 Ohm Max Radial | RLB9012-273KL.pdf | ||
![]() | CRCW201030K0FKEFHP | RES SMD 30K OHM 1% 1W 2010 | CRCW201030K0FKEFHP.pdf | |
![]() | TNPW120618R7BETA | RES SMD 18.7 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120618R7BETA.pdf | |
![]() | ATF524X16D | ATF524X16D Ansaldo Module | ATF524X16D.pdf | |
![]() | UC337KC | UC337KC UNI TO-3 | UC337KC.pdf | |
![]() | L0805M2R00FBT | L0805M2R00FBT VISHAY SMD or Through Hole | L0805M2R00FBT.pdf | |
![]() | SG117K | SG117K MSC TO2 | SG117K.pdf | |
![]() | NE32484A NOPB | NE32484A NOPB NEC SMT | NE32484A NOPB.pdf | |
![]() | OP05AZ/883B | OP05AZ/883B PMI/ADI SMD or Through Hole | OP05AZ/883B.pdf | |
![]() | P80C32SBPN112 | P80C32SBPN112 NXP 40DIP | P80C32SBPN112.pdf | |
![]() | BL-C7V-G-V1J-YJ | BL-C7V-G-V1J-YJ BRIGHT ROHS | BL-C7V-G-V1J-YJ.pdf |