창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C8V2LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C8V2LP-7-F BZT52C8V2LP-FDITR BZT52C8V2LP-FDITR-ND BZT52C8V2LP7 BZT52C8V2LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C8V2LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C8, BZT52C8V2LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SMCG64A-M3/9AT | TVS DIODE 64VWM 103VC DO-215AB | SMCG64A-M3/9AT.pdf | |
![]() | RNCF0603DTE442R | RES SMD 442 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RNCF0603DTE442R.pdf | |
![]() | DP11SV2020B25K | DP11S VER 20P 20DET 25K M7*7MM | DP11SV2020B25K.pdf | |
![]() | DP-102A-M | Pressure Sensor -14.5 PSI ~ 145.04 PSI (-100 kPa ~ 1000 kPa) Vented Gauge Female - M5 Module | DP-102A-M.pdf | |
![]() | INA122UAG4 | INA122UAG4 TI SMD or Through Hole | INA122UAG4.pdf | |
![]() | LC87F06J2A | LC87F06J2A N/A QFP | LC87F06J2A.pdf | |
![]() | BA3474F | BA3474F ROM SOP14 | BA3474F.pdf | |
![]() | 22UF6V-C | 22UF6V-C AVX SMD or Through Hole | 22UF6V-C.pdf | |
![]() | SN74ALS576N | SN74ALS576N TI DIP20 | SN74ALS576N.pdf | |
![]() | C8051F300-142 | C8051F300-142 SILICON SMD or Through Hole | C8051F300-142.pdf | |
![]() | HAL08115 | HAL08115 ORIGINAL TO-92 | HAL08115.pdf | |
![]() | NF6100-405-N-A2 | NF6100-405-N-A2 NVIDIA BGA | NF6100-405-N-A2.pdf |