창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C8V2LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C8V2LP-7-F BZT52C8V2LP-FDITR BZT52C8V2LP-FDITR-ND BZT52C8V2LP7 BZT52C8V2LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C8V2LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C8, BZT52C8V2LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | IXGH16N170 | IGBT 1700V 32A 190W TO247AD | IXGH16N170.pdf | |
![]() | CRCW0402390KFKTD | RES SMD 390K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402390KFKTD.pdf | |
![]() | Y1728200R000T0L | RES 200 OHM 1.5W .01% AXIAL | Y1728200R000T0L.pdf | |
![]() | LNK500PN | Converter Offline Flyback Topology 30kHz ~ 42kHz DIP-8B | LNK500PN.pdf | |
![]() | SC26C92C1 | SC26C92C1 PHILIPS PLCC44 | SC26C92C1.pdf | |
![]() | SZM238EC | SZM238EC ZILOG DIP-40 | SZM238EC.pdf | |
![]() | TC74VHC157FT(EL) | TC74VHC157FT(EL) ORIGINAL TSSOP | TC74VHC157FT(EL).pdf | |
![]() | WA06W103JT1 | WA06W103JT1 ORIGINAL SMD or Through Hole | WA06W103JT1.pdf | |
![]() | 13712600-07-X | 13712600-07-X QIHURUIELECTRONIC SMD or Through Hole | 13712600-07-X.pdf | |
![]() | HT46R62-QFP | HT46R62-QFP HOLTEK QFP | HT46R62-QFP.pdf | |
![]() | 12M62400 | 12M62400 ORIGINAL DIP14 | 12M62400.pdf |