창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C6V8S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C6V8S-FDITR BZT52C6V8S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C6V8S-7-F | |
관련 링크 | BZT52C6V, BZT52C6V8S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RT0603WRE07523RL | RES SMD 523 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRE07523RL.pdf | |
![]() | TC164-FR-0753R6L | RES ARRAY 4 RES 53.6 OHM 1206 | TC164-FR-0753R6L.pdf | |
![]() | NCP630GD2TR4G | NCP630GD2TR4G ON SOT-263- | NCP630GD2TR4G.pdf | |
![]() | M44608-P75 | M44608-P75 ORIGINAL DIP8 | M44608-P75.pdf | |
![]() | HCT00D | HCT00D PHI SOP3.9 | HCT00D.pdf | |
![]() | TDA9975AEL/8/22 | TDA9975AEL/8/22 PHILPS BGA | TDA9975AEL/8/22.pdf | |
![]() | 2SB1188 T101P | 2SB1188 T101P ROHM SOT89 | 2SB1188 T101P.pdf | |
![]() | 68046-602 | 68046-602 ORIGINAL SMD or Through Hole | 68046-602.pdf | |
![]() | HCT257D | HCT257D HARRIS SOIC | HCT257D.pdf | |
![]() | CLT905014KG | CLT905014KG MITEL QFP2828-160 | CLT905014KG.pdf | |
![]() | M6607P | M6607P MIT DIP | M6607P.pdf |