창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C6V8LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C6V8LP-7-F BZT52C6V8LP-FDITR BZT52C6V8LP-FDITR-ND BZT52C6V8LP7 BZT52C6V8LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C6V8LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C6, BZT52C6V8LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CMF55226K00FKRE | RES 226K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55226K00FKRE.pdf | |
![]() | XCE02X7-6FF1704 | XCE02X7-6FF1704 XILINX BGA | XCE02X7-6FF1704.pdf | |
![]() | RS-05K10R0FT | RS-05K10R0FT ORIGINAL 0805F | RS-05K10R0FT.pdf | |
![]() | 5073NW1K000J | 5073NW1K000J VISHAYBCCOMPONENTS Original Package | 5073NW1K000J.pdf | |
![]() | CSP1027J11-DB | CSP1027J11-DB AGERE QFP44 | CSP1027J11-DB.pdf | |
![]() | ST95080W3 | ST95080W3 ST SOP-8 | ST95080W3.pdf | |
![]() | 6006AS | 6006AS ORIGINAL SOP-8 | 6006AS.pdf | |
![]() | LH200J04-TH12 | LH200J04-TH12 LG SMD or Through Hole | LH200J04-TH12.pdf | |
![]() | F2596TR | F2596TR Littelfuse SMD or Through Hole | F2596TR.pdf | |
![]() | 203158-ALIP2 | 203158-ALIP2 NUM QFP160 | 203158-ALIP2.pdf | |
![]() | M38224M6A-372FP608AZ00U0 | M38224M6A-372FP608AZ00U0 RENESAS QFP | M38224M6A-372FP608AZ00U0.pdf | |
![]() | EIC1132700 | EIC1132700 EIC DIP | EIC1132700.pdf |