창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C6V8LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C6V8LP-7-F BZT52C6V8LP-FDITR BZT52C6V8LP-FDITR-ND BZT52C6V8LP7 BZT52C6V8LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C6V8LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C6, BZT52C6V8LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | P1812-154J | 150µH Unshielded Inductor 140mA 6.432 Ohm Max Nonstandard | P1812-154J.pdf | |
![]() | TNPW080538K3BEEA | RES SMD 38.3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080538K3BEEA.pdf | |
![]() | 4606X-101-510LF | RES ARRAY 5 RES 51 OHM 6SIP | 4606X-101-510LF.pdf | |
![]() | 22UF-16-C | 22UF-16-C KEMET SMD or Through Hole | 22UF-16-C.pdf | |
![]() | LCDA15C-S | LCDA15C-S SC SOP-16 | LCDA15C-S.pdf | |
![]() | LH28F640BFHE-PTTL60 | LH28F640BFHE-PTTL60 SHARP TSSOP48 | LH28F640BFHE-PTTL60.pdf | |
![]() | 0402-107R | 0402-107R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402-107R.pdf | |
![]() | DFF2N60 | DFF2N60 CI TO-220F | DFF2N60.pdf | |
![]() | HA1-5154-2 | HA1-5154-2 INTERSIL DIP | HA1-5154-2.pdf | |
![]() | M-602 | M-602 ORIGINAL SMD or Through Hole | M-602.pdf | |
![]() | EGF2G | EGF2G TAITRON SMD or Through Hole | EGF2G.pdf | |
![]() | W29C020-90. | W29C020-90. WINBOND DIP32 | W29C020-90..pdf |