창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C6V8-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C6V8-13DITR BZT52C6V8-13TR BZT52C6V8DITR BZT52C6V8DITR-ND BZT52C6V8TR BZT52C6V8TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C6V8-13 | |
| 관련 링크 | BZT52C6, BZT52C6V8-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | OAA160 | Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-DIP (0.300", 7.62mm) | OAA160.pdf | |
![]() | AC1210FR-075K1L | RES SMD 5.1K OHM 1% 1/2W 1210 | AC1210FR-075K1L.pdf | |
![]() | RNCF0603BTE48K7 | RES SMD 48.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RNCF0603BTE48K7.pdf | |
![]() | DS1000N-200 | DS1000N-200 DALLAS DIP8 | DS1000N-200.pdf | |
![]() | RF501B2S | RF501B2S ROHM SOT-252 | RF501B2S.pdf | |
![]() | CN25-3U303JB | CN25-3U303JB MIT SMD or Through Hole | CN25-3U303JB.pdf | |
![]() | 59319-0028 | 59319-0028 MOLEX SMD or Through Hole | 59319-0028.pdf | |
![]() | 16.384MHZ 10PF | 16.384MHZ 10PF PARTRON SMD or Through Hole | 16.384MHZ 10PF.pdf | |
![]() | DS725 | DS725 ORIGINAL DIP-8 | DS725.pdf | |
![]() | 02J0 | 02J0 N/A SOT23-6 | 02J0.pdf | |
![]() | UUV0J470MCL1GS | UUV0J470MCL1GS NICHICON SMD | UUV0J470MCL1GS.pdf | |
![]() | LQLB2012T 220M | LQLB2012T 220M TAIYO SMD or Through Hole | LQLB2012T 220M.pdf |