창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C6V2LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C6V2LP-7-F BZT52C6V2LP-FDITR BZT52C6V2LP-FDITR-ND BZT52C6V2LP7 BZT52C6V2LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C6V2LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C6, BZT52C6V2LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D270GXAAC | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D270GXAAC.pdf | |
![]() | CMMR1-06 TR | DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F | CMMR1-06 TR.pdf | |
![]() | CBSBT-8-01A-RT | CBSBT-8-01A-RT RICH SMD or Through Hole | CBSBT-8-01A-RT.pdf | |
![]() | SG531PHC33.0000 | SG531PHC33.0000 EPSON DIP4 | SG531PHC33.0000.pdf | |
![]() | ATMEL93C56A-PU2.7 | ATMEL93C56A-PU2.7 ATMEL DIP-8 | ATMEL93C56A-PU2.7.pdf | |
![]() | APA2120RI | APA2120RI ANPEC TSSOP | APA2120RI.pdf | |
![]() | 1N4743A.......1W13V | 1N4743A.......1W13V ON DO-41 | 1N4743A.......1W13V.pdf | |
![]() | S21ME3F | S21ME3F SHARP DIPSOP | S21ME3F.pdf | |
![]() | MAX232CPEC | MAX232CPEC MAXIM DIP | MAX232CPEC.pdf | |
![]() | SP207ECA-T | SP207ECA-T MICROTEK SSOP | SP207ECA-T.pdf | |
![]() | R-TX2N1132 | R-TX2N1132 RAY CAN-3Pin | R-TX2N1132.pdf | |
![]() | S8232NWFT T2G | S8232NWFT T2G SEIKO SMD or Through Hole | S8232NWFT T2G.pdf |