창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C6V2-HE3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 410mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C6V2-HE3-08 | |
관련 링크 | BZT52C6V2, BZT52C6V2-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | IHSM7832RG222K | 2.2mH Unshielded Inductor 310mA 4.62 Ohm Max Nonstandard | IHSM7832RG222K.pdf | |
![]() | MCS04020C1652FE000 | RES SMD 16.5K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C1652FE000.pdf | |
![]() | N8397F | N8397F ORIGINAL PLCC68 | N8397F.pdf | |
![]() | S6A0073X15-COCX | S6A0073X15-COCX SAMSUNG DICE | S6A0073X15-COCX.pdf | |
![]() | 1812 47NH K | 1812 47NH K TASUND SMD or Through Hole | 1812 47NH K.pdf | |
![]() | XC2C128 C6-AMS 7C | XC2C128 C6-AMS 7C XC BGA | XC2C128 C6-AMS 7C.pdf | |
![]() | MM1116XF / 1116 | MM1116XF / 1116 SANYO SMD or Through Hole | MM1116XF / 1116.pdf | |
![]() | RD28F1604C3TD70SB93 | RD28F1604C3TD70SB93 INTEL 66-EBGA | RD28F1604C3TD70SB93.pdf | |
![]() | MAX706SEPA | MAX706SEPA MAX DIP8 | MAX706SEPA.pdf | |
![]() | HIB238IB | HIB238IB i SOP24 | HIB238IB.pdf | |
![]() | LM1V479M40100 | LM1V479M40100 SAMW DIP2 | LM1V479M40100.pdf | |
![]() | ESXE350ELL121MJC3S | ESXE350ELL121MJC3S NIPPON DIP | ESXE350ELL121MJC3S.pdf |