창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C5V6T-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V6T - BZT52C24T | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C5V6T-7-F BZT52C5V6T-FDITR BZT52C5V6T-FDITR-ND BZT52C5V6T7 BZT52C5V6TDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C5V6T-7 | |
관련 링크 | BZT52C5, BZT52C5V6T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CMR04E820JPDR | CMR MICA | CMR04E820JPDR.pdf | |
![]() | L-07W43NKV4T | 43nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 810 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07W43NKV4T.pdf | |
![]() | 0.68uf35V10%B | 0.68uf35V10%B avetron SMD or Through Hole | 0.68uf35V10%B.pdf | |
![]() | UTC4N60L-B-TF3 | UTC4N60L-B-TF3 UTC TO-220F | UTC4N60L-B-TF3.pdf | |
![]() | L2B1128 | L2B1128 SUN BGA | L2B1128.pdf | |
![]() | AD5330BRUZ-REEL | AD5330BRUZ-REEL ORIGINAL SMD or Through Hole | AD5330BRUZ-REEL.pdf | |
![]() | EP4SE820F43C3 | EP4SE820F43C3 Altera SMD or Through Hole | EP4SE820F43C3.pdf | |
![]() | S8T32F/883B | S8T32F/883B SIG DIP-24 | S8T32F/883B.pdf | |
![]() | F812DSL | F812DSL TOSHIBA DIP5 | F812DSL.pdf | |
![]() | B92004 | B92004 ORIGINAL SOP | B92004.pdf | |
![]() | SO3906 | SO3906 SGS SOT-23 | SO3906.pdf |